用激光照射法制备Nb_3Ga超导材料

Nb_3Ga化合物超导性能优良,临界温度为19.7K,临界磁场强度超过30忒斯拉,但该化合物硬而脆,无法加工成材,至今尚未实用。日本金属材料研究所开发用激光照射法制备Nb_3Ga化合物超导材料获得成功,在世界上处于领先地位。