| 低温烧结Ba_3(VO_4)_2-xZnMoO_4微波介质陶瓷研究 |
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| 引用本文： | 高彬,杨青慧,张怀武. 低温烧结Ba_3(VO_4)_2-xZnMoO_4微波介质陶瓷研究[J]. 压电与声光, 2014, 36(3): 455-457 |
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| 作者姓名： | 高彬 杨青慧 张怀武 |
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| 作者单位： | （电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川 成都 610054） |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目（61021061, 51272036，51002021）；国家“九七三”基金资助项目（2012CB933104） |
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| 摘 要： | 采用固相反应法制备了Ba3(VO)4-xZnMoO4陶瓷,研究不同ZnMoO4含量对Ba3(VO)4微观结构及介电性能的影响。X线衍射(XRD)测试结果表明,二者兼容性良好,无第二相产生;具有低熔点及相反(负)频率温度系数的ZnMoO4能有效降低Ba3(VO)4的烧结温度,同时调节温度稳定性。当x=8%(质量分数)时,所制陶瓷烧结温度约850℃,相对介电常数εr≈13,品质因数Q×f≈26 400GHz,谐振频率温度系数τf≈+3μ℃-1。
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| 关 键 词： | Ba3(VO4)2 ZnMoO4 微波介质陶瓷 低温烧结 介电性能 谐振频率温度系数 |
Study on Ba_3(VO_4)_2-xZnMoO_4 Microwave Dielectric Ceramics Sintered at Low Temperature |
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| GAO Bin,YANG Qinghui and ZHANG Huaiwu. Study on Ba_3(VO_4)_2-xZnMoO_4 Microwave Dielectric Ceramics Sintered at Low Temperature[J]. Piezoelectrics & Acoustooptics, 2014, 36(3): 455-457 |
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| Authors: | GAO Bin YANG Qinghui ZHANG Huaiwu |
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| Affiliation: | (State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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