| 蓝宝石衬底上氮化镓薄膜的声表面波特性研究(英文) |
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| 引用本文： | 赵湘楠,韩彦军,孙长征,罗毅.蓝宝石衬底上氮化镓薄膜的声表面波特性研究(英文)[J].压电与声光,2014,36(3):324-326. |
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| 作者姓名： | 赵湘楠 韩彦军 孙长征 罗毅 |
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| 作者单位： | （清华大学 集成光电子重点实验室, 北京 100084） |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61176015, 60723002, 61176059, 60977022, 51002085) |
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| 摘 要： | 研究了蓝宝石上非掺杂GaN,p型GaN和p-GaN/n-GaN 3种薄膜材料的声表面波特性。在p型GaN薄膜中观测到中心频率分别为255MHz和460MHz的Rayleigh模和Sezawa模,插入损耗为-42dB。研究了退火工艺的影响。在N2中800K温度下退火,Rayleigh模和Sezawa模的旁带抑制比分别提高了5.5dB和10.2dB。结果表明具有高阻、足够厚度和高表面质量的GaN薄膜在射频单片集成滤波器领域具有广阔的应用前景。
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| 关 键 词： | 氮化镓薄膜 声表面波 集成 |
Investigation of Surface Acoustic Wave Characteristics in Gallium Nitride Thin Film Grown on Sapphire |
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| ZHAO Xiangnan,HAN Yanjun,SUN Changzheng and LUO Yi.Investigation of Surface Acoustic Wave Characteristics in Gallium Nitride Thin Film Grown on Sapphire[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2014,36(3):324-326. |
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| Authors: | ZHAO Xiangnan HAN Yanjun SUN Changzheng and LUO Yi |
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| Affiliation: | (State Key Lab. of Integrated Optoelectronics, Tsinghua University,Beijing 100084, China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | gallium nitride thin film surface acoustic wave integration |
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