ZnS_xSe_(1-x)单晶的生长和束缚激子谱线的识别 |
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引用本文: | 黄锡珉.ZnS_xSe_(1-x)单晶的生长和束缚激子谱线的识别[J].半导体学报,1986,7(1):1-9. |
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作者姓名: | 黄锡珉 |
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作者单位: | 中国科学院长春物理研究所 |
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摘 要: | 本文通过用真空蒸馏法提纯的硫和硒作为原料,以控制组分分压的升华法生长了高纯的ZnS_xSe_(1-x)(0≤x≤0.125)单晶.以激发光谱,选择激发的光致发光,掺杂和熔融Zn中退火处理等方法鉴别了在低温光致发光中出现的束缚激子谱线.这些谱线是由中性受主束缚的激子复合发射的零声子线(I_1~(deep))和LO声子伴线组成的.用中性受主能级随组分x的增加而深化的模式解释了谱线变宽、强度变化及峰值位移等现象.观察到在ZnSxSe_(1-x)三元系中电子-声子耦合系数(s)随组分X的变化.
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