| CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应研究 |
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| 引用本文： | 李茂顺,余学峰,郭旗,李豫东,高博,崔江维,兰博,陈睿,费武雄,赵云. CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应研究[J]. 核电子学与探测技术, 2010, 30(8) |
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| 作者姓名： | 李茂顺 余学峰 郭旗 李豫东 高博 崔江维 兰博 陈睿 费武雄 赵云 |
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| 作者单位： | 中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐,830011;新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐,830011;中国科学院研究生院,北京,100049;中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐,830011;新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐,830011 |
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| 摘 要： | 对1 Mbits的静态随机存储器(SRAM)进行了总剂量辐照及退火试验,试验结果表明:静、动态功耗电流均随总剂量增加而显著增大;静态功耗电流的退化与功能失效有密切相关性,非常适合作为辐射环境下器件功能失效的预警量;SRAM的读写出错数存在辐射剂量阈值,超过阈值时出错数便会指数增加;退火过程可以使器件参数恢复到初始值附近,其中高温退火对出错数的恢复作用更加明显。
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| 关 键 词： | 静态随机存储器 总剂量辐射 退火 |
Research on the Total Dose Irradiation and Annealing Effects of CMOS SRAM |
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| LI Mao-shun,YU Xue-feng,GUO Qi,LI Yu-dong,GAO Bo,CUI Jiang-wei,LAN Bo,CHEN Rui,FEI Wu-xiong,ZHAO Yun. Research on the Total Dose Irradiation and Annealing Effects of CMOS SRAM[J]. Nuclear Electronics & Detection Technology, 2010, 30(8) |
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| Authors: | LI Mao-shun YU Xue-feng GUO Qi LI Yu-dong GAO Bo CUI Jiang-wei LAN Bo CHEN Rui FEI Wu-xiong ZHAO Yun |
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