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| 纳米器件阈值电压提取方法 | |
| 引用本文： | 杨慧,郭宇锋,洪洋.纳米器件阈值电压提取方法[J].功能材料与器件学报,2014(1). |
| 作者姓名： | 杨慧 郭宇锋 洪洋 |
| 作者单位： | 江苏省射频集成与微组装工程实验室;南京邮电大学电子科学与工程学院; |
| 摘 要： | 阈值电压是MOSFET最重要的电学参数,它在器件模拟和电路设计方面起着举足轻重的作用。本文分析总结了目前比较常用的阈值电压的提取方法,分别利用它们提取了FinFET和JLT不同沟道长度的阈值电压,讨论了这些方法在提取两种现代MOS器件阈值电压时的有效性和局限性。 |
| 关 键 词： | 阈值电压提取 FinFET Junctionless Transistor |
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