|
|||||
|
|
| n型Si侧蚀的电学机理研究 | |
| 引用本文： | 谈嘉慧,陈之战,张永平,何鸿.n型Si侧蚀的电学机理研究[J].功能材料与器件学报,2014(1). |
| 作者姓名： | 谈嘉慧 陈之战 张永平 何鸿 |
| 作者单位： | 上海师范大学光电子材料与器件重点实验室; |
| 基金项目： | 973计划预研专项“超快大功率碳化硅光导开关关键科学问题研究(2012CB326402);上海市科委创新项目“欧姆接触高温稳定性研究?(13ZZ108);上海市科学技术委员会重点“碳化硅高温压力传感器设计及工艺开发(13520502700) |
| 摘 要： | 本文利用电化学刻蚀的方法在n型Si衬底上制备了不同形貌的多孔硅。扫描电子显微镜观察发现不同刻蚀条件制备的样品呈现腐蚀程度不同但腐蚀方向相同的侧向腐蚀。实验和理论分析表明适当电注入的空穴浓度是形成光滑孔壁的关键,过量注入的空穴在侧壁形成耗尽层,促使体硅少子漂移是侧向腐蚀的主要原因。 |
| 关 键 词： | 多孔硅 侧蚀分析 控制方法 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |