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| Er2O3栅介质积累端电容频率色散效应的研究 | |
| 引用本文： | 姚博,方泽波,朱燕艳,陈圣,李海蓉.Er2O3栅介质积累端电容频率色散效应的研究[J].功能材料,2011,42(11). |
| 作者姓名： | 姚博 方泽波 朱燕艳 陈圣 李海蓉 |
| 作者单位： | 1. 兰州大学物理科学与技术学院,甘肃兰州730000／绍兴文理学院数理信息学院,浙江绍兴312000 2. 绍兴文理学院数理信息学院,浙江绍兴,312000 3. 兰州大学物理科学与技术学院,甘肃兰州,730000 |
| 基金项目： | 国家自然基金科学青年科学基金资助项目(60806031,11004130); 浙江省自然科学基金资助项目(Y6100596) |
| 摘 要： | 采用分子束外延（MBE）方法在Si（001）衬底上生长了Er2O3薄膜。高分辨率透射电子显微镜（HRTEM）测试显示Er2O3薄膜保持了在衬底上完好的外延,样品为均匀的单晶结构。将单晶Er2O3薄膜制备成MOS结构并对其做电容-电压（C-V）测试时,发现样品在高频时积累端电容出现了很大程度的频率色散现象。为了解释这种现象,提出了样品中存在缺氧层的结构模型。对该模型等效电路阻抗表达式推导得到了电容-频率方程,并将此方程与实验数据进行拟合,得到的图形、变量参数表明,未完全氧化的插入层是高频MOS C-V测试出现频率色散现象的主要原因。因此认为要消除Er2O3栅介质积累端的频率色散效应,需要尽量减少或避免缺氧层的形成。 |
| 关 键 词： | Er2O3 高频C-V测试 高k栅介质 频率色散 |
The frequency dispersion effect of Er_2O_3 as gate dielectric in accumulation |
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| YAO Bo,FANG Ze-bo,ZHU Yan-yan,CHEN Sheng,LI Hai-rong.The frequency dispersion effect of Er_2O_3 as gate dielectric in accumulation[J].Journal of Functional Materials,2011,42(11). | |
| Authors: | YAO Bo FANG Ze-bo ZHU Yan-yan CHEN Sheng LI Hai-rong |
| Affiliation: | YAO Bo1,2,FANG Ze-bo2,ZHU Yan-yan2,CHEN Sheng2,LI Hai-rong1(1.School of Physics Science and Technology,Lanzhou University,Lanzhou 730000,China,2.Department of Physics,Shaoxing University,Shaoxing 312000,China) |
| Abstract: | Er2O3 films have been prepared on p-type Si(001) substrate by molecular beam epitaxy(MBE).High-resolution transmission electron microscope(HRTEM) images show that the samples are uniform single crystals with perfect epitaxy on the substrate.It is found that the accumulation capacitances take on the frequency dispersion at high frequency when taking C-V test for MOS capacitor with Er2O3/p-Si.A new model for explaining the frequency dispersion effect is proposed.The capacitance-frequency equations are obtaine... |
| Keywords: | Er2O3 high frequency C-V measurement high-k gate dielectric frequency dispersion |
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