| 2µm波段低发散角瓦级GaSb基宽区量子阱激光器 |
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| 引用本文： | 邢恩博,戎佳敏,张宇,佟存柱,田思聪,汪丽杰,舒适立,卢泽丰,牛智川,王立军.2μm波段低发散角瓦级GaSb基宽区量子阱激光器[J].红外与毫米波学报,2017,36(3):280-283. |
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| 作者姓名： | 邢恩博 戎佳敏 张宇 佟存柱 田思聪 汪丽杰 舒适立 卢泽丰 牛智川 王立军 |
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| 作者单位： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,中国科学院半导体研究所;中国科学院半导体研究所,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,中国科学院半导体研究所;中国科学院半导体研究所,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(No.61404138, No.61435012),国家科技计划项目对俄科技合作专项(No. 2013DFR00730),国家重点基础研究发展计划(2013CB643903),吉林省科技发展计划(20150520105JH)。 |
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| 摘 要： | 通过在宽区GaSb基半导体激光器波导中引入鱼骨型微结构, 实现了瓦级激光输出并且改善了侧向发散角.本文通过分析微结构的刻蚀深度对激光功率和远场特性的影响, 研究并发现了微结构的引入可以明显的提高激光器输出功率, 同时深刻蚀的微结构对降低模式数和侧向发散角有着更明显的改善作用.相比于未引入微结构的激光器, 引入深刻蚀微结构的宽区激光器侧向95%功率定义的远场发散角降低了大约57%, 并且实现了超过1.1 W的最大连续输出功率.
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| 关 键 词： | GaSb基 宽区激光器 微结构 远场发散角 |
| 收稿时间： | 2016/8/31 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2016/10/25 0:00:00 |
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