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| 金属与超薄非晶硅薄膜的接触特性研究 | |
| 引用本文： | 刘美玲,俞 健,卞剑涛,等.金属与超薄非晶硅薄膜的接触特性研究[J].太阳能学报,2016,37(11):2952-2957. |
| 作者姓名： | 刘美玲 俞 健 卞剑涛 等 |
| 摘 要： | 研究金属与非晶硅薄膜(a-Si:H)的接触特性,用于晶体硅异质结太阳电池新型电极技术开发。采用等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)技术制备超薄(~10 nm)a-Si:H薄膜,利用真空镀膜技术制作金属电极,采用圆点传输线模型(CDTLM)研究a-Si:H与不同金属(Al、Ni、Ti、In)的接触特性。低温退火后a-Si:H与Ni、Al、Ti可获得良好的欧姆接触。经200℃退火,p型非晶硅p-a-Si:H与Al的比接触电阻降至0.3 mΩ·cm~2;n型非晶硅n-a-Si:H与Ti的比接触电阻降至0.7 mΩ·cm~2,表明这两种金属可以直接用于a-Si:H薄膜的表面电极。 |
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