富硅氧化硅薄膜低温沉积和微观结构调整

采用等离子体化学气相沉积(PECVD)技术通过改变N_2O流量低温制备不同微观结构的镶嵌纳米晶硅的富硅氧化硅(nc-Si/SiO_x)薄膜,利用傅里叶变换红外(FTIR)透射光谱和Raman光谱技术研究薄膜中氢含量和氧含量变化及其对薄膜晶化度、纳米晶硅粒子大小、薄膜混合相比例的影响。实验表明,随着N_2O比例增加,由于逐渐增强的氧化反应阻碍了纳米晶硅的生长,导致晶硅比例减少和非晶成分增加,同时薄膜晶化度下降。混合相中晶界的比例随N_2O先增后减,当N_2O达到一定值时形成稳定界面。