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| GaAsMESFET在抗辐射领域的应用 | |
| 作者姓名： | 高剑侠 林成鲁 |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所，中国科学院新疆物理研究所 |
| 摘 要： | 详细论述了多种辐照源辐射ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ器件和电路产生的ＳＥＵ（单粒子翻转 ）效应，辐照源包括脉冲激光、质子、中子和电子不等。同时还讨论了计算机模拟辐射产生ＳＥＵ的过程和机制。研究表明：１）在低温生长ＧａＡｓ阻支的ＭＥＳＦＥＴ电路，有较强的抗ＳＥＵ能力；２）在ＭＥＳＦＥＴ中，产生ＳＥＵ的原因在于辐射导致了漏极收集电荷的增加，而且，电荷惧增强机制扔三种：ａ）背沟道导通机制，ｂ）双极增益机制；ｃ０ |
| 关 键 词： | MESFET 辐射加固 SEU 砷化镓 |
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