| 高分辨电子显微像的定量分析与应用Ⅱ.InGaAs/GaAs应变层超晶格的高分辨像定量分析 |
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| 引用本文： | 兰建章,王绍青,孟祥敏,于瀛大,谢天生,李斗星. 高分辨电子显微像的定量分析与应用Ⅱ.InGaAs/GaAs应变层超晶格的高分辨像定量分析[J]. 电子显微学报, 1998, 17(2) |
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| 作者姓名： | 兰建章 王绍青 孟祥敏 于瀛大 谢天生 李斗星 |
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| 摘 要： | 使用高分辨像定量分析方法和像模拟技术,对外延生长的GaAs/InxGa1-xAs应变层超晶格的微观组态进行了详细的分析.用像模拟验证了成像位置与结构投影的对应关系.使用像点定位及畸变测量的分析方法,获得了晶格畸变位移分布图及畸变沿生长方向的分布曲线,扣除由四方畸变导致的点阵膨胀与收缩,得到了仅由In元素分布导致的点阵参数变化曲线.由晶格参数与In元素含量的线性对应关系,获得了超晶格中In元素沿生长方向的分布曲线.
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| 关 键 词： | 高分辨电子显微像 应变层超晶格 定量分析 点阵畸变 元素分布 |
Quantitative Analysis and Application of HREM Image II. Quantitative Analysis of HREM Image of InGaAs/GaAs Strained Layer Superlattice |
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| Lan Jianzhang,Wang Shaoqing,Meng Xiangmin,Yu Yingda,Xie Tiansheng,Li Douxing. Quantitative Analysis and Application of HREM Image II. Quantitative Analysis of HREM Image of InGaAs/GaAs Strained Layer Superlattice[J]. Journal of Chinese Electron Microscopy Society, 1998, 17(2) |
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| Authors: | Lan Jianzhang Wang Shaoqing Meng Xiangmin Yu Yingda Xie Tiansheng Li Douxing |
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