| VO_2薄膜及电学开关特性 |
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| 引用本文： | 许旻,邱家稳,赵印中,王洁冰,何延春,李强勇.VO_2薄膜及电学开关特性[J].真空科学与技术学报,2001,21(6):485-488. |
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| 作者姓名： | 许旻 邱家稳 赵印中 王洁冰 何延春 李强勇 |
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| 作者单位： | 兰州物理所,兰州,730000 |
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| 摘 要： | 用溶胶-凝胶法在非晶玻璃上制备VO2薄膜,经过熔融、涂膜、烘干和热处理等工艺最后得到电阻相变2～3个量级的VO2薄膜.对烘干温度、熔融温度、膜厚和热处理温度对薄膜电阻开关特性的影响进行了研究.通过AFM,XRD和XPS对薄膜的结构和特性进行分析.
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| 关 键 词： | 薄膜 电阻 开关特性 制备 |
| 文章编号： | 0253-9748(2001)06-0485-04 |
| 修稿时间： | 2001年5月21日 |
Vanadium Dioxide Films with Electrical Switching Property |
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| Xu Min,Qiu Jiawen,Zhao Yinzhong,Wang Jiebing,He Yanchun,Li Qiangyong.Vanadium Dioxide Films with Electrical Switching Property[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2001,21(6):485-488. |
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| Authors: | Xu Min Qiu Jiawen Zhao Yinzhong Wang Jiebing He Yanchun Li Qiangyong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Thin film Resistivity Switching properties Preparation |
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