| ILGAR法CuInS2薄膜制备中的化学计量控制 |
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| 引用本文： | 邱继军,靳正国,钱进文. ILGAR法CuInS2薄膜制备中的化学计量控制[J]. 稀有金属材料与工程, 2005, 34(Z2): 686-690 |
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| 作者姓名： | 邱继军 靳正国 钱进文 |
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| 作者单位： | 天津大学,先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津,300072 |
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| 基金项目： | 天津市自然科学基金资助项目(F103004) |
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| 摘 要： | 采用离子层气相反应法(ILGAR)法,以CuCl、InCl3为原料,C2H5OH为溶剂,H2S为硫源在常温下合成了CuInS2薄膜,建立了前驱体溶液中[Cu]/[In]比与薄膜化学计量之间的关系.利用X-ray光电子能谱仪(XPS),X-ray衍射仪(XRD)、扫描电镜(S EM)、可见-紫外分光光度计(UV-Vis)和霍尔测试系统(HALL)等技术表征了不同化学计量下CIS薄膜的相组成、结构形貌、薄膜生长、光学和电学性质.试验表明,薄膜中Cu/In与溶液中[Cu]/[In]呈线性变化,并伴随有立方闪锌矿结构→黄铜矿结构晶型转变过程;当0.94≤Cu/In≤1.27时,测定出CIS薄膜为单相,表面较致密、均匀、附着性好;薄膜的光吸收系数高于104 cm-1,禁带宽度Eg在1.27 eV～1.35 eV之间,表面暗电阻随Cu/In的增加从102Ω·cm降为10-1 Ω.cm,载流子浓度在1016cm-3～1017cm-3.
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| 关 键 词： | CIS薄膜 ILGAR法制备 化学计量 |
| 文章编号： | 1002-185X(2005)S1-0686-05 |
| 修稿时间： | 2004-10-15 |
Stoichiometry Control of CuInS2 Thin Films Growning with Ion Layer Gas Reaction(ILGAR)Method |
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| Qiu Jijun,Jin Zhengguo,Qian Jinwen. Stoichiometry Control of CuInS2 Thin Films Growning with Ion Layer Gas Reaction(ILGAR)Method[J]. Rare Metal Materials and Engineering, 2005, 34(Z2): 686-690 |
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| Authors: | Qiu Jijun Jin Zhengguo Qian Jinwen |
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