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| 掺铈铌酸锶钡单晶在632.8nm处的高灵敏全息存储 | |
| 引用本文： | 岳学锋,邵宗书,陈焕矗,刘恩泉. 掺铈铌酸锶钡单晶在632.8nm处的高灵敏全息存储[J]. 中国激光, 1989, 16(8): 471-472 |
| 作者姓名： | 岳学锋 邵宗书 陈焕矗 刘恩泉 |
| 作者单位： | 山东大学晶体材料研究所 济南(岳学锋，邵宗书，陈焕矗)，山东大学晶体材料研究所 济南(刘恩泉) |
| 摘 要： | 报道了用低功北He-Ne激光器在掺铈铌酸锶钡中的高灵敏全息存贮,其最大光致折变△n_(max)=1.07×10~(-4)光致折变灵敏度s=8×10~(-4)cm~2/J,最大衍射效率可达78%.并对其光读出特性进行了研究. |
| 关 键 词： | 光致折变晶体 全息存贮 |
| 收稿时间： | 1988-01-04 |
High-sensitivity holographic storasre in Ce-doped SBN at 632. 8nm |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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