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| 用极差法与回归法探讨蒙脱石有机化层间距的影响因素 | |
| 作者姓名： | 徐芳 沈上越 谢静 范胜华 |
| 作者单位： | 1. 中国地质大学材化学院,北京,10008 2. 中国地质大学工程学院,武汉,430074 |
| 基金项目： | 国土资源部项目(编号:121280201102) |
| 摘 要： | 本文选择了四个主要影响蒙脱石有机化层间距的因素(插层剂含量、温度、搅拌时间、pH值)设计了18个试验,用极差法和回归法分析了实验结果,结果表明制备最大层间距的最佳工艺条件为插层剂含量70%;温度为95℃;搅拌时间为2h;pH值为5,而且在插层剂含量＜70%时,制备的蒙脱石层间距与插层剂含量存在线性关系.即蒙脱石层间距=1.771+2.828×插层剂含量,其他因素影响程度很小.这一结论对不经过X-ray测试而直接估算制备的蒙脱石层间距起到了指导性的作用. |
| 关 键 词： | 有机蒙脱石 层间距 正交法 回归法 |
| 文章编号： | 1007-9386(2004)增刊-0100-03 |
| 修稿时间： | 2004-05-12 |
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