| 10keV B~+注入预非晶化Si的剩余缺陷和浅结 |
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| 引用本文： | 卢志恒,李素杰,罗晏,张朝明,张荟星.10keV B~+注入预非晶化Si的剩余缺陷和浅结[J].固体电子学研究与进展,1988(4). |
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| 作者姓名： | 卢志恒 李素杰 罗晏 张朝明 张荟星 |
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| 作者单位： | 北京师范大学低能核物理研究所
(卢志恒，李素杰，罗晏，张朝明)，北京师范大学低能核物理研究所(张荟星) |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | <正> 一、问题的提出和实验方法 在低能注入B~+浅结的过程中,沟道效应难以避免。为避免B~+注入的沟道效应,本文采用100keV下5×10~(15)cm~(-2)的Si~(29)注入n-Si<100>进行非晶化处理。继而进行了10keV,1×10~(15)cm~(-2)的B~+注入形成浅结,然后对样品进行快速热退火(RTA)处理,并观察界面缺陷的
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Residual Damage and Shallow Junction in 10keV B~+ Implanted Preamorphized Silicon |
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| Abstract: | It was studied in this paper that the residual damage developed at a-Si/c-Si interface in 10keV B+ implanted preamorphized Si during rapid thermal annealing at 1000℃ and 1000℃, and influence the electrical properties of shallow junction. |
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| Keywords: | |
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