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| IBM公司用超高真空CVD技术制出75GHz HBT | |
| 引用本文： | 李淑芳.IBM公司用超高真空CVD技术制出75GHz HBT[J].固体电子学研究与进展,1990(4). |
| 作者姓名： | 李淑芳 |
| 摘 要： | <正>据《Semiconductor International》1990年第6期报道,IBM公司T.J.Watson研究中心的B.Meyerson采用超高真空CVD技术(UHV/CVD)生长掺硼SiGe基区制出了75GHzHBT.而IBM的同质结Si晶体管的最高频率是52GHz.因此,这一HBT达到了用Si技术制造器件的最高频率.器件结构如附图所示.HBT的SiGe基极生长前在基片上制作集电极,基 |
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