| MOPA结构1064nm单模半导体激光器 |
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| 引用本文： | 刘刚明,宋爱民,陈猛.MOPA结构1064nm单模半导体激光器[J].半导体光电,2011,32(3):325-327. |
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| 作者姓名： | 刘刚明 宋爱民 陈猛 |
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| 作者单位： | 重庆光电技术研究所,重庆,400060;重庆教育学院,重庆,400067 |
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| 摘 要： | 1 064 nm单模半导体激光器在测试、通信、光纤激光器种子源等多种领域有着广泛的应用。设计并制作了一种MOPA结构1 064 nm单模半导体激光器。做为对比,同时制作了相同外延材料和腔长的脊波导单模半导体激光器。测试结果表明,该MOPA结构管芯发生灾变性光学损伤(COD)时的注入电流约740 mA,最高功率达到375 mW,无扭折最大输出功率为300 mW,此时注入电流约为610 mA,水平发散角为9.8°(FWHM),均优于作为对比的脊波导结构激光器。
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| 关 键 词： | 半导体激光器 单模 MOPA 1 064nm 种子源 |
1 064 nm Single Mode LD with MOPA Structure |
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| LIU Gangming,SONG Aimin,CHEN Meng.1 064 nm Single Mode LD with MOPA Structure[J].Semiconductor Optoelectronics,2011,32(3):325-327. |
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| Authors: | LIU Gangming SONG Aimin CHEN Meng |
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| Affiliation: | 1(1.Chongqing Optoelectronics Research Institute,Chongqing 400060,CHN;2.Chongqing Education College,Chongqing 400067,CHN) |
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| Abstract: | |
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