| CCD抗晕结构的设计和制作 |
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| 引用本文： | 钟四成,程顺昌,王晓强.CCD抗晕结构的设计和制作[J].半导体光电,2011,32(3):313-316. |
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| 作者姓名： | 钟四成 程顺昌 王晓强 |
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| 作者单位： | 重庆光电技术研究所,重庆,400060;重庆光电技术研究所,重庆,400060;重庆光电技术研究所,重庆,400060 |
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| 摘 要： | 强光照射时,CCD图像传感器摄取的图像中会出现光晕(blooming)和弥散(smear)现象,严重影响成像质量。文章介绍了一种能够抑制这些光晕现象的抗晕CCD,详细阐述了其抗晕结构的设计和制作方法,采用该方法制作的CCD能够达到500倍的抗晕能力。
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| 关 键 词： | 光晕 横向抗晕 横向溢出漏 抗晕势垒 |
Design and Process of the CCD with Anti-blooming Structure |
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| ZHONG Sicheng,CHENG Shunchang,WANG Xiaoqiang.Design and Process of the CCD with Anti-blooming Structure[J].Semiconductor Optoelectronics,2011,32(3):313-316. |
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| Authors: | ZHONG Sicheng CHENG Shunchang WANG Xiaoqiang |
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| Affiliation: | (Chongqing Optoelectronics Research Institute,Chongqing 400060,CHN) |
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