| 塑料基底a-Si∶H TFT制备技术 |
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| 引用本文： | 姚建可,许宁生,邓少芝,陈军,佘峻聪,王彬. 塑料基底a-Si∶H TFT制备技术[J]. 液晶与显示, 2010, 25(4) |
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| 作者姓名： | 姚建可 许宁生 邓少芝 陈军 佘峻聪 王彬 |
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| 作者单位： | 中山大学,光电材料与技术国家重点实验室,广东省显示材料与技术重点实验室,广东,广州,510275 |
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| 摘 要： | 采用PECVD工艺,在300℃下在50μm厚的Kapton E高分子塑料片上制备了底栅结构a-Si∶H TFT阵列(20×20)。用傅里叶变换红外光谱仪表征了a-Si∶H薄膜的结构,用二探针法和四探针法分别表征了a-Si∶H薄膜和n+a-Si∶H薄膜的电导率。a-Si∶H薄膜中的H(原子数分数)约为15.6%,H主要以Si H和Si H2基团的形式存在,其电导率为8.2×10-7~8.8×10-6S/cm;n+a-Si∶H薄膜的电导率为3.8×10-3S/cm。所制备的TFT具有以下性能:Ioff≈1×10-14A,Ion≈1×10-9A,Ion/Ioff≈105,Vth≈5V,μ≈0.113cm2/(V.s),S≈2.5V/dec,满足TFT-LCD等平板显示器件的开关寻址电路要求。
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| 关 键 词： | 塑料基底 柔性显示 |
Fabrication Techniques of a-Si:H TFT on Plastic Substrate |
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| YAO Jian-ke,XU Ning-sheng,DENG Shao-zhi,CHEN Jun,SHE Jun-cong,WANG Bin. Fabrication Techniques of a-Si:H TFT on Plastic Substrate[J]. Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays, 2010, 25(4) |
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| Authors: | YAO Jian-ke XU Ning-sheng DENG Shao-zhi CHEN Jun SHE Jun-cong WANG Bin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | a-Si:H TFT |
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