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SiC陶瓷常压烧结研究
引用本文:凌兴珠,徐振民.SiC陶瓷常压烧结研究[J].金属材料与冶金工程,1998(4):4-6.
作者姓名:凌兴珠  徐振民
作者单位:中南工业大学
摘    要:研究了SiC粉末粒度、助剂Al2O3+Y2O3加入量和Al2O3与Y2O3的配比等因素对SiC陶瓷材料性能的影响。结果表明,添加Al2O3+Y2O3助剂可实现SiC陶瓷的低温(1850℃)常压烧结。SiC粉末粒度是影响可烧结性的重要因素之一,助剂加入量为20%,Al2O3与Y2O3之比为1:1时材料性能较好。

关 键 词:陶瓷  常压烧结  烧结助剂  烧结  碳化硅
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