|
|||||
|
|
| 波长可变的半导体激光器 | |
| 引用本文： | 陈兆铮.波长可变的半导体激光器[J].固体电子学研究与进展,1998(1). |
| 作者姓名： | 陈兆铮 |
| 摘 要： | 据《学会志》报道，NEC公司采用MOCVD法选择生长技术，研制成简单连续改变振荡波长的半导体激光器。用选择MOCVD法把波导的组成和厚度变成缓缓的阶梯状，制成及个改变波长的控制电极初级连续波可变激光器，在1.55μm，3．8nm的范围内连续改变波长。若应用于波长多路光通信用的光源，不但可变波长数的容量扩大几倍，而且可简单实现可控波长的半导体激光器，可开发新的高性能光波网络系统等。该激光器是具有连续波长可变型控制波导（TSG）结构的分布反馈反射型（DBR）半导体激光器，与三个电极DBR激光器相同，具有激活，相位控制DBR… |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |