| 向日葵种胚的V离子注入研究 |
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| 引用本文： | 李永良,苏颍,周云龙,林文廉.向日葵种胚的V离子注入研究[J].核技术,2000,23(4):219-222. |
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| 作者姓名： | 李永良 苏颍 周云龙 林文廉 |
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| 作者单位： | 1. 北京师范大学,北京,100875
2. 北京师范大学低能核物理研究所,北京,100875 |
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| 基金项目： | 教育部科学技术研究项目，19890300， |
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| 摘 要： | 利用扫描电子显微镜和能量色散谱仪研究Ｖ离子注入向日葵种胚后注入元素的深度分布，用透射电子显微镜（ＴＥＭ）研究离子注入前后子叶及胚轴部位细胞的显微结构变化。结果发现Ｖ离子在种皮层的注入深度达到１８μｍ，而在胚部位（如子叶、胚轴和胚根等）则没有测到Ｖ元素，注入前后子叶前后和胚轴细胞的显微结构在ＴＥＭ上没有明显的变化。
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| 关 键 词： | 诱变育种 钒离子注入 细胞显微结构 向日葵 种胚 |
| 修稿时间： | |
A study on V ion implantation in embryos of sunflower |
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| LI Yongliang,SU Ying,ZHOU Yunlong,LIN Wenlian.A study on V ion implantation in embryos of sunflower[J].Nuclear Techniques,2000,23(4):219-222. |
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| Authors: | LI Yongliang SU Ying ZHOU Yunlong LIN Wenlian |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Low energy ion implantation Vanadium Microstructure |
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