| 单晶AlN纳米线的合成和光致发光特性研究 |
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| 引用本文： | 沈龙海,李博文,李凤岐,崔启良. 单晶AlN纳米线的合成和光致发光特性研究[J]. 沈阳理工大学学报, 2009, 28(4): 92-94 |
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| 作者姓名： | 沈龙海 李博文 李凤岐 崔启良 |
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| 作者单位： | 1. 沈阳理工大学,理学院,辽宁,沈阳,110168
2. 吉林,大学 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(50772043).作者间介:沈龙海，男;副教授;博士;研究方向:金属氮化物纳米材料的合成及其高压物性研究 |
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| 摘 要： | 在无催化剂和模板条件。利用直流电孤放电等离子方法直接氮化金属铝合成纤锌矿结构的单晶AIN纳米线．分别用X光射线衍射（XRD）和场发射扫描电镜（FESEM）对AIN纳米线的结构和形貌进行表征，并测量了AIN纳米线的光致发光谱（PL）．结果表明，A1N纳米线的长度超过100μm，直径大约200nm，具有较高的长径比；在AIN纳米线的PL谱中，中心在506nm的发射带源于氮空位相关的深能级缺陷．
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| 关 键 词： | AlN纳米线 半导体材料 直流电弧放电 光致发光 |
Photoluminescence and Synthesis of Single-crystal AIN Nanowires |
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| SHEN Long-hai,LI Bo-wen,LI Feng-qi,CUI Qi-liang. Photoluminescence and Synthesis of Single-crystal AIN Nanowires[J]. Transactions of Shenyang Ligong University, 2009, 28(4): 92-94 |
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| Authors: | SHEN Long-hai LI Bo-wen LI Feng-qi CUI Qi-liang |
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| Affiliation: | SHEN Long-hai, LI Bo-wen, LI Feng-qi, CUI Qi-liang( 1. Shenyang Ligong University, Shenyang 110168, China ;2. Jilin University) |
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| Abstract: | Using the direct current arc discharge plasma method, single-crystal wurtzite AIN nanowires are synthesised by direct nitriding metal AI without catalyst and templet. The strueture and morphology of the AIN nanowires are characterized by XRD and FESEM. The results reveal that the AIN nanowires have an diameter of about 200 nm and lengths of up to 100μm. The photoluminescence of the AIN nanowires suggests that the emission band at 506 nm may be ascribed to the deep level defect due to nitrogen vacancy. |
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| Keywords: | AIN nanowires semiconductor materials direct current arc discharge PL |
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