| Si衬底上5.1W/mm功率密度的GaN HEMT |
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| 引用本文： | 冯志宏,尹甲运,袁凤坡,刘波,梁栋,默江辉,张志国,王勇,冯震,李效白,杨克武,蔡树军.Si衬底上5.1W/mm功率密度的GaN HEMT[J].半导体学报,2007,28(12):1949-1951. |
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| 作者姓名： | 冯志宏 尹甲运 袁凤坡 刘波 梁栋 默江辉 张志国 王勇 冯震 李效白 杨克武 蔡树军 |
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| 作者单位： | 专用集成电路国家级重点实验室,石家庄,050051;专用集成电路国家级重点实验室,石家庄,050051;专用集成电路国家级重点实验室,石家庄,050051;专用集成电路国家级重点实验室,石家庄,050051;专用集成电路国家级重点实验室,石家庄,050051;专用集成电路国家级重点实验室,石家庄,050051;专用集成电路国家级重点实验室,石家庄,050051;专用集成电路国家级重点实验室,石家庄,050051;专用集成电路国家级重点实验室,石家庄,050051;专用集成电路国家级重点实验室,石家庄,050051;专用集成电路国家级重点实验室,石家庄,050051;专用集成电路国家级重点实验室,石家庄,050051 |
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| 摘 要： | 利用MOCVD技术在Si（111）衬底上生长了高质量的GaN HEMT材料，1μm厚GaN外延层XRD（002）摇摆曲线半高宽573″,（102）摇摆曲线半高宽668″。通过插入层技术实现2μm厚GaN HEMT材料无裂纹,室温二维电子气迁移率1350cm^2/（V.s）,方块电阻328Ω/□.1mm栅宽GaN微波功率器件饱和电流大于0.8A/mm,跨导大于250mS/mm,2GHz下最大连续波输出功率5.1W,增益9.1dB,附加效率达到35%。
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| 关 键 词： | Si衬底 GaN HEMT XRD半高宽 二维电子气迁移率 功率密度 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)12-1949-03 |
| 收稿时间： | 5/30/2007 4:36:54 PM |
| 修稿时间： | 6/28/2007 8:35:49 PM |
A 5.1W/mm Power Density GaN HEMT on Si Substrate |
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| Feng Zhihong,Yin Jiayun,Yuan Fengpo,Liu Bo,Liang Dong,Mo Jianghui,Zhang Zhiguo,Wang Yong,Feng Zhen,Li Xiaobai,Yang Kewu and Cai Shujun.A 5.1W/mm Power Density GaN HEMT on Si Substrate[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(12):1949-1951. |
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| Authors: | Feng Zhihong Yin Jiayun Yuan Fengpo Liu Bo Liang Dong Mo Jianghui Zhang Zhiguo Wang Yong Feng Zhen Li Xiaobai Yang Kewu and Cai Shujun |
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| Affiliation: | National Key Laboratory of ASIC,Shijiazhuang 050051,China;National Key Laboratory of ASIC,Shijiazhuang 050051,China;National Key Laboratory of ASIC,Shijiazhuang 050051,China;National Key Laboratory of ASIC,Shijiazhuang 050051,China;National Key Laboratory of ASIC,Shijiazhuang 050051,China;National Key Laboratory of ASIC,Shijiazhuang 050051,China;National Key Laboratory of ASIC,Shijiazhuang 050051,China;National Key Laboratory of ASIC,Shijiazhuang 050051,China;National Key Laboratory of ASIC,Shijiazhuang 050051,China;National Key Laboratory of ASIC,Shijiazhuang 050051,China;National Key Laboratory of ASIC,Shijiazhuang 050051,China;National Key Laboratory of ASIC,Shijiazhuang 050051,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Si substrate GaN HEMT FWHM of XRD 2DEG mobility power density |
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