| 退火对冶金法太阳能级多晶硅中缺陷影响的研究 |
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| 引用本文： | 吴洪军,陈秀华,马文会,蒋咏,梅向阳,张聪,吴兴惠. 退火对冶金法太阳能级多晶硅中缺陷影响的研究[J]. 太阳能学报, 2012, 0(8): 1357-1365 |
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| 作者姓名： | 吴洪军 陈秀华 马文会 蒋咏 梅向阳 张聪 吴兴惠 |
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| 作者单位： | 云南大学物理科学与技术学院;浙江大学硅材料国家重点实验室;昆明理工大学真空冶金国家工程实验室 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金委员会-云南省人民政府联合基金(U1137601);教育部科学技术研究重点项目(212159);浙江大学硅材料国家重点实验室开放基金(SKL2009-8) |
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| 摘 要： | 研究了不同条件下退火对冶金法太阳能级多晶硅锭不同部位的位错、晶界及择优生长取向的影响。利用金相显微镜,电子背散射衍射和X射线衍射仪分别对退火前后多晶硅锭的位错、晶界和择优生长取向的变化规律进行表征,结果表明:退火前后多晶硅中的位错密度大小始终是中部<底部<顶部。1100℃下随着保温时间的延长,多晶硅中的位错密度逐渐减小,到5.0h后达到回复的极限程度;小角度晶界比例不断减小,直至消失;大角度晶界中R型晶界比例先增加后减小,CSL晶界比例缓慢增加,孪晶晶界Σ3比例呈稳定地增加,到退火5.0h后,其比例约占30%;主峰〈111〉织构峰强一直增加,〈311〉织构峰强则是逐渐减小至零,而〈511〉、〈531〉、〈620〉织构强度则是先减小、后增大、最后再减小,退火保温5.0h后择优生长取向达到高度一致。另外,还得到了不同温度下的极限回复程度。
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| 关 键 词： | 多晶硅 退火 位错密度 晶界 |
IMPACT OF THERMAL ANNEALING ON THE DEFECTS OF SOLAR GRADE POLYSILICON PRODUCED BY METALLURGICAL METHOD |
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| Wu Hongjun,Chen Xiuhua,Ma Wenhui,Jiang Yong,Mei Xiangyang,Zhang Cong,Wu Xinghui. IMPACT OF THERMAL ANNEALING ON THE DEFECTS OF SOLAR GRADE POLYSILICON PRODUCED BY METALLURGICAL METHOD[J]. Acta Energiae Solaris Sinica, 2012, 0(8): 1357-1365 |
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| Authors: | Wu Hongjun Chen Xiuhua Ma Wenhui Jiang Yong Mei Xiangyang Zhang Cong Wu Xinghui |
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| Affiliation: | 1 (1.School of Physical Science and Technology,Yunnan University,Kunming 650091,China; 2.National Engineering Laboratory for Vacuum Metallurgy,Kunming University of Science and Technology,Kunming 650093,China; 3.State Key Laboratory of Silicon Materials,Zhejiang University,Hangzhou 310027,China) |
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