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| 质子注入直拉硅中缺陷的研究 | |
| 引用本文： | 李灿国,姚秀琛,秦国刚.质子注入直拉硅中缺陷的研究[J].半导体学报,1986,7(4):397-406. |
| 作者姓名： | 李灿国 姚秀琛 秦国刚 |
| 作者单位： | 北京大学物理系，北京大学物理系，北京大学物理系 天津大学物理系 |
| 摘 要： | 对比电子辐照和氦、硼离子注入,研究了质子注入n型和P型直拉硅中产生的缺陷及其退火行为.指出我们所观察到的n型样品中的电子陷阱E(0.30)是质子注入所特有的,它很可能是与氢有关的深能级.与电子辐照对比,离子注入在E(0.41)附近引入了除双空位及磷空位以外的新的缺陷.质子注入引入的氢能使n型样品中各电于陷阱的退火温度有不同程度的降低;在P型样品中,当质子注入剂量为5 × 10~(10)/cm~2与1.5 × 10~(11)/cm~2时,各空穴陷阱的退火温度降低并会聚在150℃,但当质子注入剂量大于或等于5 × 10~(11)/cm~2时,注入的氢对各空穴陷阱的退火没有明显的影响.对以上现象作了分析与讨论. |
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