MOCVD制备定向生长ZnO压电薄膜 |
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引用本文: | 林煌 袁洪涛 童强 张阳 张跃. MOCVD制备定向生长ZnO压电薄膜[J]. 功能材料, 2004, 35(Z1): 1358-1360 |
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作者姓名: | 林煌 袁洪涛 童强 张阳 张跃 |
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作者单位: | 林煌(北京航空航天大学,材料科学与工程学院,北京,100083);袁洪涛(北京航空航天大学,材料科学与工程学院,北京,100083);童强(北京航空航天大学,材料科学与工程学院,北京,100083);张阳(北京航空航天大学,材料科学与工程学院,北京,100083);张跃(北京航空航天大学,材料科学与工程学院,北京,100083) |
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基金项目: | 国家自然科学基金资助项目(50172002) |
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摘 要: | 采用大气开放式金属有机化合物化学气相沉积(A-MOCVD)的方法,在普通多晶黄铜基片上制备ZnO薄膜.薄膜的SEM、XRD结果表明ZnO沿C轴取向垂直生长在基片上.综合分析ZnO自身晶体生长习性,提出了ZnO薄膜在普通多晶铜表面的生长模型.并将ZnO薄膜制备成压电双晶片元件,在光学显微镜下能观察到元件尖端产生了很大的位移量,结果表明高定向性ZnO薄膜具有优异的压电特性.该压电器件使得传统的小变形双晶片元件的数学模型失效,有必要建立新型大变形双晶片物理、数学模型.
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关 键 词: | ZnO薄膜 MOCVD 定向生长 压电双晶片 |
文章编号: | 1001-9731(2004)增刊-1358-03 |
修稿时间: | 2004-06-11 |
Preparation of oriented ZnO piezoelectric film by MOCVD |
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Abstract: | |
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Keywords: | |
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