首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

高取向碳纳米管薄膜和碳纳米管束薄膜的场发射性质研究
引用本文:曹培江,朱德亮,柳文军,贾芳,马晓翠,吕有明. 高取向碳纳米管薄膜和碳纳米管束薄膜的场发射性质研究[J]. 广东化工, 2008, 35(10)
作者姓名:曹培江  朱德亮  柳文军  贾芳  马晓翠  吕有明
作者单位:深圳大学材料学院,广东,深圳,518060
摘    要:采用热解二茂铁/三聚氰氨混合物方法合成了高取向碳纳米管薄膜和碳纳米管束薄膜.二氧化硅基底上生长的碳纳米管具有一致的外部直径约22 nm和一致的长度约40μm;陶瓷基底上生长的碳纳米管具有变化的外部直径为10~90 nm和不同的长度约20~100 μm;合成的纳米管为多壁纯碳管并存在大量的缺陷和石墨断层;高取向碳纳米管薄膜的开启电场为3.9 V/μm,场增强因子为3000;碳纳米管束薄膜的开启电场为2.9 v/μm,场增强因子为5200.

关 键 词:碳纳米管  热解  增强因子

The Study of Field Electron Eemission Properties for High Aligned Carbon Nanotubes Thin Film and Carbon Nanotubes Bundles Thin Film
Cao Peijiang,Zhu Deliang,Liu Wenjun,Jia Fang,Ma Xiaocui,Lv Youming. The Study of Field Electron Eemission Properties for High Aligned Carbon Nanotubes Thin Film and Carbon Nanotubes Bundles Thin Film[J]. Guangdong Chemical Industry, 2008, 35(10)
Authors:Cao Peijiang  Zhu Deliang  Liu Wenjun  Jia Fang  Ma Xiaocui  Lv Youming
Abstract:
Keywords:FEE
本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号