| 4 W GaAs X/Ku波段单片功率放大器 |
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| 引用本文： | 李拂晓,孙玉芳.4 W GaAs X/Ku波段单片功率放大器[J].固体电子学研究与进展,1997,17(2):98-102. |
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| 作者姓名： | 李拂晓 孙玉芳 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所!210016 |
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| 摘 要： | 采用GaAs离子注入工艺，研制了GaAsX／Ku波段单片功率放大器。放大器末级栅宽76mm，频率9—13GHz，增益大于9．5dB，输出功率3W（f＝11GHz时达4W），效率≥22％（11GHz时达30％）。
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| 关 键 词： | 砷化镓 离子注入 单片功率放大器 |
An X/Ku-band 4 W Ion-implanted MMIC Power Amplifier |
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| Li Fuxiao Sun Yufang Chen Kejin Jiang Youquan Chen Tangsheng Lin Jinting.An X/Ku-band 4 W Ion-implanted MMIC Power Amplifier[J].Research & Progress of Solid State Electronics,1997,17(2):98-102. |
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| Authors: | Li Fuxiao Sun Yufang Chen Kejin Jiang Youquan Chen Tangsheng Lin Jinting |
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| Abstract: | A GaAs X/Ku band 4 W MMIC power amplifier has been developedby using ion-implatation processing. Output power of 3-4 W,gain of 9. 5-10. 7dB and the efficiency of 22%-30% have been achieved in the frequency range from 9 to 13 GHz. |
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| Keywords: | GaAs Ion Implatation MMIC Power Amplifier |
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