SiC MOSFET在悬浮控制器中的应用研究

本文将以中低速磁浮列车的悬浮控制器为应用场景，通过选用FF200R12KT4(IGBT)和FF6MR12W2M1＿B11(SiCMOSFET)两款功率器件搭建实验平台，计算分析比较了两种器件在相同工况下运行的功率损耗，并对其进行了仿真验证。随着磁浮车辆对小型化、轻量化、载重能力等需求的提高，研究高效率、高功率密度的功率器件在悬浮控制器中的应用迫在眉睫。与传统的IGBT功率器件相比，碳化硅功率器件具有寄生参数低，器件尺寸小，导通损耗低和工作频率高等优势。在相同工况条件下，碳化硅功率器件功耗低的特点，降低了系统对散热能力的需求，同时降低了系统的整体体积及重量。