| 高能氩离子辐照SiO_2玻璃的正电子寿命谱学研究 |
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| 引用本文： | 朱智勇,孙友梅,金运范,李长林,侯明东,刘昌龙,张崇宏,孟庆华,王志光,陈克勤,鲁光军.高能氩离子辐照SiO_2玻璃的正电子寿命谱学研究[J].核技术,2001(6). |
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| 作者姓名： | 朱智勇 孙友梅 金运范 李长林 侯明东 刘昌龙 张崇宏 孟庆华 王志光 陈克勤 鲁光军 |
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| 作者单位： | 中国科学院近代物理研究所!兰州730000，中国科学院近代物理研究所!兰州730000，中国科学院近代物理研究所!兰州730000，中国科学院近代物理研究所!兰州730000，中国科学院近代物理研究所!兰州730000，中国科学院近代物理研究所!兰州730000，中国科学院近代物理研究所!兰州730000，中 |
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| 基金项目： | 中国科学院九五重点项目基金! (KJ95 2 -S1- 42 3)，中国博士后科学基金资助和回国人员启动基金 |
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| 摘 要： | 用 1.15GeV的氩离子在室温下对二氧化硅玻璃样品进行了辐照 ,并通过正电子寿命测量技术研究了辐照后材料微观结构的变化。结果表明 ,在未辐照二氧化硅玻璃中有近 81%的正电子是以正电子素的形式湮灭的 ;根据o -Ps的撞击湮灭寿命确定出未辐照样品的自由体积分布在0 .0 2— 0 .13nm3的区域里 ,平均自由体积半径约为 2 .5nm。辐照后材料的自由体积分布函数变窄 ,峰位下移 ,显示样品经辐照后有密度增大的现象。随着剂量的增大 ,第二正电子寿命成分的强度逐渐增加 ,而相应于o -Ps的寿命成分的强度逐渐减小 ,这被认为是由于辐照产生的电离电子在自由体积中漫游 ,使正电子与这些漫游电子发生湮灭的几率增大 ,从而减小了正电子素的形成几率。
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| 关 键 词： | 二氧化硅玻璃 氩离子辐照 正电子寿命 微观结构 |
Positron lifetime study of SiO_2 glass irradiated with high energy Ar ions |
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| ZHU Zhiyong SUN Youmei JIN Yunfan LI Changlin HOU Mingdong LIU Changlong,ZHANG Chonghong MENG Qinghua WANG Zhiguang CHEN Keqin.Positron lifetime study of SiO_2 glass irradiated with high energy Ar ions[J].Nuclear Techniques,2001(6). |
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| Authors: | ZHU Zhiyong SUN Youmei JIN Yunfan LI Changlin HOU Mingdong LIU Changlong ZHANG Chonghong MENG Qinghua WANG Zhiguang CHEN Keqin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiO 2 glass Ar ion irradiation Positron lifetime Microscopic structure |
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