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| SnAgCu-xTi在单晶硅表面的润湿行为 | |
| 作者姓名： | 隋然 林巧力 |
| 作者单位： | 1.兰州工业学院,兰州,730050 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;兰州工业学院开物创新团队项目;兰州工业学院青年科技创新项目 |
| 摘 要： | 采用改良座滴法在高真空条件下研究了熔融Sn0.3Ag0.7Cu(SAC)-xTi(x为质量分数,%)在800 ~ 900 ℃与单晶硅表面的润湿行为. 结果表明,SAC-xTi/Si体系属于惰性润湿体系,钛的添加显著改善了润湿性. 在不添加钛时,SAC钎料在800 ℃与单晶硅润湿1 800 s后达到平衡,平衡接触角为63°;SAC-1Ti钎料在900 ℃润湿1 800 s后获得最小平衡接触角41°;SAC-3Ti钎料在900 ℃时达到平衡润湿的时间最短,仅为50 s,平衡接触角为48°. 润湿机制为钛加速了单晶硅表面氧化膜的去除. 在熔融钎料的铺展过程中,通过溶解?再析出机制和微掩膜机制,在固/液界面处形成了温度依赖的“金字塔”结构,温度越高,“金字塔”结构越稀疏且形貌越大. “金字塔”结构的出现并未改善体系的润湿性,由于其对三相线的钉扎作用,进而使得体系的润湿性变差. |
| 关 键 词： | 润湿性 表面绒化 惰性界面 连接 |
| 收稿时间： | 2019-11-22 |
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