| 溅射及RTA处理对ITO薄膜特性的影响 |
| |
| 引用本文： | 袁广才,徐征,张福俊,王勇. 溅射及RTA处理对ITO薄膜特性的影响[J]. 材料研究学报, 2007, 21(3): 282-286 |
| |
| 作者姓名： | 袁广才 徐征 张福俊 王勇 |
| |
| 作者单位： | 北京交通大学光电子技术研究所,发光与光信息技术教育部重点实验室,北京,100044;北京交通大学光电子技术研究所,发光与光信息技术教育部重点实验室,北京,100044;北京交通大学光电子技术研究所,发光与光信息技术教育部重点实验室,北京,100044;北京交通大学光电子技术研究所,发光与光信息技术教育部重点实验室,北京,100044 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 国家高技术研究发展计划(863计划) , 北京市自然科学基金 , 国家重点基础研究发展计划(973计划) , 国家自然科学基金 |
| |
| 摘 要： | 采用RF-磁控溅射生长铟锡氧化物薄膜(ITO),研究了生长条件、快速热退火(RTA)温度对薄膜的晶化情况、透过率、电导率以及表面形貌的影响.结果表明:改变In2-x3 (Snx4 ·e)O3制备过程中的氧含量使Sn4 ·e对电子束缚能力发生变化,过高的氧分压使费米能级EF降低,功函数Ws增大,氧气流量为2 ml/min、退火温度为450℃时薄膜电阻率最低为2.5×10-4 Ω·cm,透过率达88%以上.
|
| 关 键 词： | 无机非金属材料 反应磁控溅射 ITO薄膜 快速热退火(RTA) 电阻率 |
| 文章编号： | 1005-3093（2007）03-0282-05 |
| 修稿时间： | 2006-08-252007-02-28 |
Influence to photoelectric properties of ITO thin film by sputtering condition and RTA processing |
| |
| YUAN Guangcai,XU Zheng,ZHANG Fujun,WANG Yong. Influence to photoelectric properties of ITO thin film by sputtering condition and RTA processing[J]. Chinese Journal of Materials Research, 2007, 21(3): 282-286 |
| |
| Authors: | YUAN Guangcai XU Zheng ZHANG Fujun WANG Yong |
| |
| Affiliation: | Institute of Optoelectronics Technology, Beijing Jiaotong University, Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education Beijing 100044 |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | inorganic non-metallic materials RF-reactive magnetron sputtering indium tin oxide(ITO)film rapid thermal annealing(RTA) resistivity |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
