用于MOVPE工艺的Ⅲ族不自燃MO源的物理性质 |
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作者姓名: | 陆大成 |
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作者单位: | 化工部光明化工研究所 |
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摘 要: | 目前,已开发出不自燃的铝、镓、铟金属有机化合物,并已安全用于金属有机汽相外延工艺(MOVPE),用以制备Ⅲ—Ⅴ族半导体材料。这些化合物是以分子间或分子内配位饱和形式存在的,利用改变分子结构的方法很容易调节物理性质。得到了室温下是液体的新源,并已证明适合与一般的V族有机源一起使用,也可以与新型的V族有机源一起使用。讨论了这些MO源的合成与外延。
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关 键 词: | 半导体 材料 工艺 Ⅲ-V族 |
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