|
|||||
|
|
| HgCdTe MIS器件的制备及其界面电学特性的研究（上） | |
| 作者姓名： | 何波 史衍丽 徐静 |
| 作者单位： | 昆明理工大学光电子新材料研究所,昆明,650051;昆明物理研究所,昆明,650223;昆明物理研究所,昆明,650223;济南大学材料学院,济南,250022 |
| 摘 要： | 介绍了HgCdTe MIS器件的制备及由其C-V特性计算、分析界面电学特性的基本原理和步骤．利用MIS器件高频C-V曲线耗尽区的电学特性推导了衬底杂质浓度随深度分布的计算公式。 |
| 关 键 词： | HgCdTe MIS器件 表面钝化 界面电学特性 |
| 文章编号： | 1672-8785（2006）12-0004-06 |
| 收稿时间： | 2006-06-19 |
| 修稿时间： | 2006-06-19 |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《红外》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《红外》下载全文 | |