HgCdTe MIS器件的制备及其界面电学特性的研究(上) |
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作者姓名: | 何波 史衍丽 徐静 |
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作者单位: | 昆明理工大学光电子新材料研究所,昆明,650051;昆明物理研究所,昆明,650223;昆明物理研究所,昆明,650223;济南大学材料学院,济南,250022 |
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摘 要: | 介绍了HgCdTe MIS器件的制备及由其C-V特性计算、分析界面电学特性的基本原理和步骤.利用MIS器件高频C-V曲线耗尽区的电学特性推导了衬底杂质浓度随深度分布的计算公式。
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关 键 词: | HgCdTe MIS器件 表面钝化 界面电学特性 |
文章编号: | 1672-8785(2006)12-0004-06 |
收稿时间: | 2006-06-19 |
修稿时间: | 2006-06-19 |
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