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LEC法GaSb晶体生长数值模拟研究
引用本文:李璐杰,程红娟,张颖武,于凯.LEC法GaSb晶体生长数值模拟研究[J].压电与声光,2016,38(5):799-803.
作者姓名:李璐杰  程红娟  张颖武  于凯
作者单位:(中国电子科技集团公司第四十六研究所, 天津 300220)
摘    要:采用有限元模拟软件对液封直拉(LEC)法生长锑化镓晶体过程进行计算机建模。模拟分析了晶体旋转、坩埚旋转及隔热屏等因素对GaSb固-液界面形貌的影响。结果表明,晶体旋转与坩埚旋转分别具有促使凸向熔体的固-液界面曲率减小及增大的作用,且同等转速条件下,坩埚旋转对固-液界面形貌影响更大。此外,减小放肩角度、去除炉体上部的隔热屏等措施,均具有使凸向熔体的固-液界面曲率降低的作用。而使用液封剂使凸向熔体的固-液界面曲率增大。坩埚在加热器中存在某一位置,使熔体内部轴向梯度最大。炉膛内氩气流速最剧烈部位为保温罩与拉晶杆间的区域,Ar气对流导致上炉膛温度提高,并降低熔体表面温度约8℃。

关 键 词:液封直拉法(LEC)  固-液界面  强制对流  液封剂  放肩角度  隔热屏  坩埚位置

Research on Numerical Simulation for LEC GaSb Crystal Growth
LI Lujie,CHENG Hongjuan,ZHANG Yingwu and YU Kai.Research on Numerical Simulation for LEC GaSb Crystal Growth[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2016,38(5):799-803.
Authors:LI Lujie  CHENG Hongjuan  ZHANG Yingwu and YU Kai
Abstract:
Keywords:liquid encapsulated Czochralski(LEC)  simulationsolid liquid interface  forced convection  encapsulant  angle of shoulder  thermal screen  position of the crucible
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