| 采用0.18μm CMOS工艺的多端口SRAM设计 |
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| 引用本文： | 刘岩,候朝焕. 采用0.18μm CMOS工艺的多端口SRAM设计[J]. 微电子学与计算机, 2005, 22(9): 103-105 |
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| 作者姓名： | 刘岩 候朝焕 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院声学所,北京,100080;中国科学院研究生院,北京,100080
2. 中国科学院研究生院,北京,100080 |
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| 摘 要： | 文章详细描述了一种采用0.18μmCMOS工艺的多端口单位线SRAM设计方法。与传统的6TSRAM结构相比,在写数据时增加了写节点充电信号,降低了内核CMOS器件设计的复杂度;在读数据时增加了额外的读位线放电电路,减少了读数据延迟;同时读写数据均采用电流模式,降低功耗,较好的解决了多端口SRAM存取数据时存在的问题。
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| 关 键 词： | 多端口 单位线 SRAM 电流模式 |
| 文章编号： | 1000-7180(2005)09-103-03 |
| 修稿时间： | 2005-03-01 |
Design of a Multi-Port SRAM Based on 0.18μm CMOS Technology |
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| LIU Yan,HOU Chao-huan. Design of a Multi-Port SRAM Based on 0.18μm CMOS Technology[J]. Microelectronics & Computer, 2005, 22(9): 103-105 |
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| Authors: | LIU Yan HOU Chao-huan |
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| Affiliation: | LIU Yan1,2,HOU Chao-huan2 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Multi- port Single- bit- line SRAM Current- mode |
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