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| Nd掺杂对δ-MoN电子结构和输运性质的影响 | |
| 作者姓名： | 尉靖 王可答 金凤友 刘利军 张桂玲 曾涛 |
| 作者单位： | 1. 哈尔滨理工大学化学与环境工程学院,黑龙江哈尔滨,150080 2. 绥化学院食品与制药工程系,黑龙江绥化,150026 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
| 摘 要： | 为了探讨稀土掺杂对材料导电性影响的机理,采用密度泛函理论并结合非平衡格林函数方法,从理论角度研究了Nd掺杂δ-MoN的电子结构与输运性质,分别讨论了Nd取代Wyckoff坐标系中2a位置和6c位置的Mo原子时对δ-MoN导电性的影响.计算并分析了Nd掺杂δ-MoN的能带结构、态密度和伏安特性曲线.电子结构的计算结果表明,Nd掺杂使δ-MoN在费米能级附近的态密度增大,导致费米面电子出现的几率增加;伏安特性曲线显示Nd掺杂体系的电流大于未掺杂体系,说明Nd掺杂增强了δ-MoN的导电性,其中当Nd取代6c位置的Mo原子时δ-MoN的导电性增强较大. |
| 关 键 词： | Nd掺杂 δ-MoN 电子结构 输运性质 |
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