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| 3.625～4.2GHz 36K GaAs低噪声放大器 | |
| 作者姓名： | 吴振声 |
| 作者单位： | 南京电子器件研究所 210016 |
| 摘 要： | <正>采用市场上能购得的器件,制作了噪声温度在3.625～4.2GHz范围内均小于36K的放大器,达到了当前国际水平、且已提供用户使用.制作低噪声放大器除了需有性能优良的器件外,还要进行电路优化设计和精心调试.为了进一步降低噪声温度采用了致冷技术,因而在电路和结构上都要进行合理设计.首先要正确测量器件的S参数以及噪声参量.此后一般可用CAD技术进行电路设计,大部分设计者把一个放大器的所有指标一起进行优化,当其中某项指标达不到要求时,可以降低其它指标, |
| 关 键 词： | 低噪声放大器 放大器 GaAs |
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