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宽带直接接触式RF MEMS开关
引用本文:郁元卫,贾世星,朱健,陈辰. 宽带直接接触式RF MEMS开关[J]. 传感技术学报, 2008, 21(4): 688-691
作者姓名:郁元卫  贾世星  朱健  陈辰
作者单位:南京电子器件研究所,南京,210016;单片集成电路与模块国家级重点实验室,南京,210016;南京电子器件研究所,南京,210016
摘    要:本文提出一种静电驱动直接接触式宽带MEMS开关,包含CPW传输线、双U型金属悬臂梁、触点和锚区,兼顾了开关接触可靠、克服微结构粘连和低驱动电压三大结构可靠性设计因素。本开关为三端口开关,使用低温表面微机械工艺,制作在400μm厚的高阻硅衬底上,芯片尺寸0.8mm×0.9mm。样品在片测试结果表明,在6GHz频点,开关本征损耗0.1dB,隔离度24.8dB,等效开关接触电阻0.6Ω,关态电容6.4fF,开关时间47μs,开关驱动电压为20-60V。

关 键 词:射频微机电开关  直接接触式  宽带  宽驱动电压
文章编号:1004-1699(2008)04-0688-04
修稿时间:2007-09-30

A Broadband Ohmic RF MEMS Switch
YU Yuanwei,JIA Shixing,ZHU Jian,Chen Chen. A Broadband Ohmic RF MEMS Switch[J]. Journal of Transduction Technology, 2008, 21(4): 688-691
Authors:YU Yuanwei  JIA Shixing  ZHU Jian  Chen Chen
Affiliation:1.Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing,2100162. National Key Lab. of Monolithic Integrated Circuits and Modules, Nanjing, 210016
Abstract:
Keywords:RF MEMS switch  Metal-contact  Broadband  Wide-actuation voltage
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