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| 1.55μmInGaAsP/InP部份增益耦合分布反馈式激光器/电吸收调制器集成器件 | |
| 引用本文： | 罗毅,文国鹏,孙长征,李同宁,杨新民,王任凡,王彩玲,金锦炎.1.55μmInGaAsP/InP部份增益耦合分布反馈式激光器/电吸收调制器集成器件[J].半导体学报,1998,19(7):557-560. |
| 作者姓名： | 罗毅 文国鹏 孙长征 李同宁 杨新民 王任凡 王彩玲 金锦炎 |
| 作者单位： | [1]集成光电子学国家重点联合实验室清华大学电子工程系 [2]武汉电信器件公司 |
| 摘 要： | 本文首次报道一种结构简单的１．５５μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ部份增益耦合ＤＦＢ激光器与电吸收调制器的单片集成器件．该器件采用脊波导进行横模限制，阈值电流范围为３０～６０ｍＡ，典型边模抑制比大于４０ｄＢ，反向偏压３Ｖ时的消光比为１１ｄＢ． |
| 关 键 词： | 光通信 半导体激光器 集成器件 EA调制器 |
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