| 分别限制量子阱激光器的载流子限制特性及漏电流 |
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| 引用本文： | 任大翠,李含轩,王玉霞. 分别限制量子阱激光器的载流子限制特性及漏电流[J]. 长春理工大学学报(自然科学版), 1995, 0(3) |
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| 作者姓名： | 任大翠 李含轩 王玉霞 |
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| 作者单位： | 长春光学精密机械学院重点实验室 |
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| 摘 要： | 本文在数值求解分别限制量子阶激光器的光增益及阈值电流密度的基础上，计算和分析了漂移和扩散两种机制引起的漏电流对半导体激光器阅值电流密度的影响讨论了激光器的结构参数与漏电流的关系。计算结果和实验值进行了比较。
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| 关 键 词： | 分别限制 量子阱 漏电流 |
Carrier Confinement and Leakage Current of SCH-SQW LD |
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| Ren Dacui, LI Hanxuan, Wang Yuxia. Carrier Confinement and Leakage Current of SCH-SQW LD[J]. Journal of Changchun University of Science and Technology, 1995, 0(3) |
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| Authors: | Ren Dacui LI Hanxuan Wang Yuxia |
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| Affiliation: | Changchun Institute of Optics and Fine Mechanics |
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| Abstract: | Leakage current of SCH-SQW LD is numerically ealculated and discussed as functions ofstructure parametres. It is shown that, for most practical QW LD, diffusion mechanism is dominant anddrift mechanism is neg1igible. Calculated results are fitted to expc jmental. |
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| Keywords: | SCH LCH Quantum well Leakage current |
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