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| 石英舟HCl-H_2-Ga高温处理 | |
| 引用本文： | 梁连科,鄂义太,姜凤来,郭庆云,李庆辉.石英舟HCl-H_2-Ga高温处理[J].半导体技术,1984(1). |
| 作者姓名： | 梁连科 鄂义太 姜凤来 郭庆云 李庆辉 |
| 作者单位： | 东北工学院 (梁连科，鄂义太，姜凤来)，营口火柴厂 (郭庆云)，营口火柴厂(李庆辉) |
| 摘 要： | 在水平法生长GaAs单晶过程中常常发生晶体与石英舟的沾润,而引起单晶位错大幅度增殖,严重时会导致长成李晶和多晶.近年来,国内外对沾润机理和解决措施进行了一些研究.山口正夫等喷砂的石英舟进行高温处理,舟表面形成α-方石英微晶层,可得到具有金属光泽的单晶.Yamayuchi等发现在生长GaAs单晶后石英舟喷砂表面形成α-方石英粉末层减少熔体与石英舟直接接触避免和舟沾润.本文采取HCI和Ga在H_2气氛下对石英舟进行高温处理工艺(简称HCl-H_2-Ga处理)配合合理的拉品工艺可避免沾润,降低位错,进一步提高GaAs纯度.并根据实验结果确定合理的处理舟工艺. |
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