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| 高电导宽带隙微晶-非晶混合相p型Si∶H薄膜研究 | |
| 引用本文： | 陈友鹏,曹宝成,马萍.高电导宽带隙微晶-非晶混合相p型Si∶H薄膜研究[J].太阳能学报,1986(2). |
| 作者姓名： | 陈友鹏 曹宝成 马萍 |
| 作者单位： | 山东大学 (陈友鹏，曹宝成)，山东大学(马萍) |
| 摘 要： | 本文报道一种适于做a-Si电池窗口材料的高电导宽带隙微晶-非晶Si:H薄膜。这种材料采用辉光放电法在高功率下分解SiH_4和B_2H_6混合气体制得,室温电导率σ_(?)最高为20(Ω-cm)~(-1),相应光学带隙E_(opt)为1.70—1.75eV,电导激活能为0.02eV。X射线和电子衍射分析表明,电导率10~(-4)(Ω-cm)~(-1)或更高的膜显示微晶(μc~-)相。随电导率的增加,膜结构逐渐向全晶化相变化。讨论了制备高电导宽带隙p型Si:H膜的淀积条件。 |
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