| InGaAs／AlGaAs单量子阱激光器低阈值激射 |
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| 引用本文： | 宁永强,高欣,王立军.InGaAs／AlGaAs单量子阱激光器低阈值激射[J].激光与光电子学进展,2001(9):27-27. |
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| 作者姓名： | 宁永强 高欣 王立军 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院长春光机物理研究所,
2. 长春光机学院, |
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| 摘 要： | 研制了InGaAs/AlGaAs SQW激光器,对其工作特性如阈值电流密度、激射波长、特征温度、远场分布等进行了研究.
用MOCVD方法生长制备了InGaAs/AlGaAs分别限制单量子阱结构材料,得出其各层组分和能带分布.首先在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层和AlGaAs波导层,然后生长窄能带的AlGaAs量子阱势垒层,再继续生长InGaAs量子阱有源区.其后继续生长AlGaAs势垒层、高Al组分AlGaAs波导层和GaAs高掺杂欧姆接触层.我们发现在低温范围里(160 K～220 K)阈值电流密度随温度升高而减小,与普通量子阱激光器正相反,表现出负的特征温度.随着温度进一步提高,阈值电流密度表现出指数式增大.300 K下腔长2000 μm的激光器最低的阈值电流密度约为200 A/cm2.(OD7)
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| 关 键 词： | InGaAs／AlGaAs 量子阱激光器 激射 |
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