| 不同型号的星用Power MOSFET 的辐射响应特性 |
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| 引用本文： | 刘刚,余学锋,任迪远,牛振红,高嵩.不同型号的星用Power MOSFET 的辐射响应特性[J].核电子学与探测技术,2007,27(2):347-350. |
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| 作者姓名： | 刘刚 余学锋 任迪远 牛振红 高嵩 |
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| 作者单位： | 中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐,830011;中国科学院研究生院,北京,100049;中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐,830011 |
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| 摘 要： | 利用^60Co源对将应用于空间系统的两种Power MOSFET进行了不同总剂量辐照实验，并从微观氧化物陷阱电荷和界面态的辐射感生角度，对比分析了不同型号Power MOSFET器件在^60Coγ射线辐射下的总剂量效应以及辐照后100℃下退火特性，并侧重分析了总剂量实验中阈值电压和击穿电压的变化关系。为此类器件在航天系统中的应用提供了辐照数据基础和依据。
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| 关 键 词： | Power MOSFET 阈值电压 总剂量辐射 击穿电压 |
| 文章编号： | 0258-0934(2007)02-0347-03 |
| 修稿时间： | 2005年11月24 |
Radiation effects and annealing of various power MOSFET applied in satellites |
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| LIU Gang,YU Xue-feng,REN Di-yuan,NIU Zhen-hong,GAO Song.Radiation effects and annealing of various power MOSFET applied in satellites[J].Nuclear Electronics & Detection Technology,2007,27(2):347-350. |
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| Authors: | LIU Gang YU Xue-feng REN Di-yuan NIU Zhen-hong GAO Song |
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| Abstract: | Two kinds of Power MOSFET applied in the space have been irradiated and tested,and from the view of the changes of oxide charges and interface states,their total dose radiation responses and characteristics have been analyzed.And the relations between breakdown voltage and threshold voltage in the experiment of total dose radiation have been investigated and compared.Results of our experiment have provided foundation for the application of these two type devices in spaceflight system. |
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| Keywords: | power MOSFET threshold voltage total dose radiation breakdown voltage |
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